Allgemeine Eigenschaften der stationären Zustände

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[22mΔ+V(r¯)]ϕ(r¯)=Eϕ(r¯)

die zeitunabhängige Schrödingergleichung mit dem skalaren Potenzial V

Annahme: V(r¯)0für|r¯|

außerdem soll das Potenzial stückweise stetig sein und nach unten beschränkt.

Dann gilt:

  1. E<0

Prinzipiell sind nur diskrete Eigenwerte E>Vmin möglich.

Dies ist ein klarer Widerspruch zur klassischen Mechanik, nach der alle Zustände mit EVminmöglich sind.

Die Anzahl der Eigenwerte und ihr Abstand hängt jedoch von der Form von V ab.

Wenn limr|V(r¯)|~1r2+δmit δ>0. Das Potenzial muss also nur für r gegen unendlich dieses Verhalten zeigen. Dann existieren nur ENDLICH viele diskrete Werte.

Also: es gibt genau dann endlich viele Zustände im Potenzial, wenn das Potenzial schneller verschwindet als 1/r².

Typische Beispiele sind kurzreichweitige Potenziale wie die Dipol- Dipol- Wechselwirkung |V(r¯)|~1r6oder der rechteckige Potenzialtopf.

Bei sehr flachen Potenzialen (sehr flaches Vmin) existiert möglicherweise gar kein Zustand im Potenzialtopf (gar kein Eigenwert existiert).

In eindimensionalen Potenzialen allerdings existiert stets ein Eigenwert E<0.

Langreichweitige, langsam abfallende Potenziale können unendlich viele E<0 mit einem Häufungspunkt bei E=0 haben (Wasserstoffatom). Dies trifft vor allem für das 1/r- Potenzial zu!

Eigenzustände zu E<0

Sind in jedem Fall Normierbar: R3d3r|ϕ(r¯)|2=1

limr¯>ϕ(r¯)0 hinreichend rasch!. Die Aufenthaltswahrscheinlichkeit ist damit im Endlichen lokalisiert. Das bedeutet: Die Zustände sind gebunden.

Es existieren also gebundene Zustände im Bereich E<0 (vergleiche: elliptische Bahnen bei 1/r- Potenzialen für E<0)

Im Gegensatz zur klassischen Mechanik ist jedoch die Aufenthaltswahrscheinlichkeit auch in Bereichen mit E<V(r) von Null verschieden: Klassisch: p22m+V(r¯)=E Grund dafür ist die Unschärferelation: ΔpΔx2 Für ebene Wellen als Lösung der Schrödingergleichung der Form eikx gilt dann wegen k~EV, falls E < V somit eikx=e → exponentiell gedämpftes Eindringen in die Barriere!

E>0

Hier ist das Energiespektrum grundsätzlich kontinuierlich. Die Eigenfunktionen sind dabei nicht normierbar:

limr¯>ϕ(r¯)constoder oszilliert.

Beispiel: Ebene Welle ϕ(r¯)=eik¯r¯ist Lösung von

22mΔϕ(r¯)=Eϕ(r¯)mit E=2k22m>0
kReikr ist oszillierend!
ϕ(r¯)=eik¯r¯ ist also Lösung der Schrödingergleichung mit V=0

Es gibt keine Einschränkungen an E=2k22m>0. Die Energie ist gleich der kinetischen Energie! Falls V=0 Das Teilchen ist ganz klar nicht im Endlichen lokalisiert. Man spricht auch von einem stationären Streuzustand. Beispiel: Elektronen in Metallen → Elektronengas! Nebenbemerkung: Wellenpakete und damit auch Photonen sind KEINE stationären Zustände (= Energie- Eigenzustände). Die unendliche Delokalisation stellt sich also als Problem hier noch gar nicht an Photonen oder Wellenpakete im Allgemeinen. (für " Energieeigenzustände") Bemerkungen

  1. Die Klassifizierung E<0 und E>0 gilt auch dann noch, wenn V(r¯)Punktsingularitäten hat, also auch beim V(r¯)~1rbei r=0 oder beim Delta- Potenzial
  2. In Bereichen mit V(r¯)gilt grundsätzlich ϕ=0. Auch quantenmechanisch kann hier das Teilchen nicht eindringen. Insbesondere folgt als Randbedingung an einer unendlich hohen Potenzialschwelle:
ϕ|Rand=0
  1. Qualitativ verschieden ist das Verhalten bei periodischen Potenzialen V(r¯).Dies beobachtet man beispielsweise bei Elektronen in Kristallen. So entstehen beispielsweise Energiebänder.

Eindimensionale stationäre Zustände

In Spezialfällen lassen sich Probleme separieren/reduzieren:

V(r¯)=V1(x1)+V2(x2)+V3(x3)

Separation in kartesischen Koordinaten:

ϕ(r¯)=ϕ1(x1)ϕ2(x2)ϕ3(x3)

Die Schrödingergleichung lautet:

i=13[22m2xi2+Vi(xi)]ϕ1(x1)ϕ2(x2)ϕ3(x3)=Eϕ1(x1)ϕ2(x2)ϕ3(x3)22mϕi´´(xi)+Vi(xi)ϕi(xi)ϕi(xi)=E(i)

mit E=E(1)+E(2)+E(3) Insbesondere (Beispiel): V2+V3=0→ freie Bewegung in x2 und x3- Richtung

ϕ(r¯)=ϕ1(x1)eik2x2eik3x3
E=E(1)+k2222m+k3222m

Beispiel: Quantentopf in Halbleitern (Quantum Well) Halbleiterschichtstruktur:


Durch die Variation des Legierungsverhältnis x und durch die Schichtdicke läßt sich Vo und a maßgeschneidert produzieren und somit auch die Lage und Zahl der Energieniveaus im Halbleiter. Das effektive Potenzial der Leitungselektronen ist der Quantentopf wie im rechten Diagramm dargestellt. Beispiel: Für GaAs/ AlGaAs der Form:

GaAs/Al0,3Ga0,7As erhält man Vo = 250 meV. Bei einer Schichtdicke des GaAs von 10 nm ergeben sich 3 gebundene Zustände im Quantentopf.

Durch die gebundenen Zustände im Quantentopf und die freie Beweglichkeit in x2- und x3- Richtung mit der effektiven Masse m* ergibt sich ein zweidimensionaler Leiter, wenn die Spannung in x2- oder x3- Richtung angelegt wird. Legt man einen Strang durch das Material, so gewinnt man einen eindimensionalen Leiter. Beispiel: Kugelsymmetrisches Potenzial Sei V(r)kugelsymmetrisch, so bietet sich Separation in Kugelkoordinaten an: r,ϑ,ϕ:

Φ(r¯)=R(r)+Y(ϑ,ϕ)

Beispiel: H- Atom mit Coulombpotenzial V=e24πε0r